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富士通MB85R8M1TA芯片嘉定安装到位

发布者：mqauto 发布时间：2023-01-03 16:33:43

富士通MB85R8M1TA芯片嘉定安装到位

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富士通/fujitsu FRAM存储器 IC芯片

FRAM(铁电RAM)是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。
我们量产的FRAM产品已交付给工业市场超过21年。因此，FRAM是具有成熟制造经验的高性能和高度可靠的存储器。介绍富士通FRAM存储芯片512Kx8位SPI MB85RS4MTY.
MB85RS4MTY描述
MB85RS4MTY是一款524,288字x8位配置的FRAM (铁电随机存取存储器)芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。
本产品针对高温环境应用。MB85RS4MTY采用串行外设接口 (SPI) 。
MB85RS4MTY无需使用后备电池即可保存数据，这是SRAM所需要的。MB85RS4MTY中使用的存储单元可用于1013次读/写操作，
这是对读写次数的重大改进Flash存储器和E2PROM支持的操作。
由于MB85RS4MTY在写入过程中不需要任何等待时间，因此MB85RS4MTY的写入周期比Flash或E2PROM短很多。
MB85RS4MTY特点
位配置: 524,288字x8位
·串行扇区区域: 256字x8位
在该区域中，保证了基于JEDECMSL-3标准条件(通过)3次回流后的数据存储
唯一身份
序列号: 64位
在该区域中，保证了基于JEDECMSL-3标准条件(通过)3次回流后的数据存储串行外设接口: SPI (串行外设接口) 对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
工作频率: 50MHz (最大)
高耐久性: 1013次/字节
·数据保留: 10年(+85°C)
2.75年(+105°C)
0.85年(+125°C)或更长
在评估超过2.5年(+125°C)
。工作电源电压: 1.8V至3.6V
低功耗: 工作电源电流4mA(Max@50MHz
待机电流350uA (最大)
深度掉电电流30uA (最大)
休眠电流14uA(最大)
工作环境温度范围: -40°C至+125°C
封装: 8-pin塑料SOP208mil、8针塑料DFN 5mmx6mm符合RoHS
多年来，FUJTSU一直以来倾注于提供高质量和高性能的存储器，这对于那些增强型的数字应用而言必不可少。
近年来，除了提供更高密度，更高性能和更低功耗的存储产品外，为客户的应用提供了的解决方案。

MB85RS2MLY

MB85RS2MTA
MB85RS1MT
MB85RS1MT
MB85RS512T
MB85RS256TY
MB85RS256B
MB85RS128TY
MB85RS128B
MB85RS64VY
MB85RS64TU
MB85RS64T - -
MB85RS64V
MB85RS64
MB85RS16
MB85RS16N
MB85RDP16LX
MB85RC1MT
MB85RC512T
MB85RC256V
MB85RC128A
MB85RC64TA
MB85RC64A
MB85RC64V
MB85RC16
MB85RC16V
MB85RC04
MB85RC04V
MB85R8M1TA
MB85R8M2TA
MB85R8M2T
MB85R4M2T
MB85R4001A
MB85R4002A
MB85R1001A
MB85R1002A
MB85R256F
MB85AS12MT
MB85AS8MT

来源：上海持承自动化设备有限公司

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