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    富士通MB85RC04芯片上海服务团队
    发布者:mqauto  发布时间:2023-01-03 16:32:14
    富士通MB85RC04芯片上海服务团队

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    富士通/fujitsu   FRAM存储器 IC芯片

    FRAM(铁电RAM)是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。FRAM不需要备用电池来保留数据,并且具有更高的读/写耐久性,更快的写入速度操作和更低的功耗。
    我们量产的FRAM产品已交付给工业市场超过21年。因此,FRAM是具有成熟制造经验的高性能和高度可靠的存储器。介绍富士通FRAM存储芯片512Kx8位SPI MB85RS4MTY.
    MB85RS4MTY描述
    MB85RS4MTY是一款524,288字x8位配置的FRAM (铁电随机存取存储器)芯片,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。
    本产品针对高温环境应用。MB85RS4MTY采用串行外设接口 (SPI) 。
    MB85RS4MTY无需使用后备电池即可保存数据,这是SRAM所需要的。MB85RS4MTY中使用的存储单元可用于1013次读/写操作,
    这是对读写次数的重大改进Flash存储器和E2PROM支持的操作。
    由于MB85RS4MTY在写入过程中不需要任何等待时间,因此MB85RS4MTY的写入周期比Flash或E2PROM短很多。
    MB85RS4MTY特点
    位配置: 524,288字x8位
    ·串行扇区区域: 256字x8位
    在该区域中,保证了基于JEDECMSL-3标准条件(通过)3次回流后的数据存储
    唯一身份
    序列号: 64位
    在该区域中,保证了基于JEDECMSL-3标准条件(通过)3次回流后的数据存储串行外设接口: SPI (串行外设接口) 对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
    工作频率: 50MHz (最大)
    高耐久性: 1013次/字节
    ·数据保留: 10年(+85°C)
    2.75年(+105°C)
    0.85年(+125°C)或更长
    在评估超过2.5年(+125°C)
    。工作电源电压: 1.8V至3.6V
    低功耗: 工作电源电流4mA(Max@50MHz
    待机电流350uA (最大)
    深度掉电电流30uA (最大)
    休眠电流14uA(最大)
    工作环境温度范围: -40°C至+125°C
    封装: 8-pin塑料SOP208mil、8针塑料DFN 5mmx6mm符合RoHS
    多年来,FUJTSU一直以来倾注于提供高质量和高性能的存储器,这对于那些增强型的数字应用而言必不可少。
    近年来,除了提供更高密度,更高性能和更低功耗的存储产品外,为客户的应用提供了的解决方案。

    MB85RS2MLY

    MB85RS2MTA
    MB85RS1MT
    MB85RS1MT
    MB85RS512T
    MB85RS256TY
    MB85RS256B
    MB85RS128TY
    MB85RS128B
    MB85RS64VY
    MB85RS64TU
    MB85RS64T - -
    MB85RS64V
    MB85RS64
    MB85RS16
    MB85RS16N
    MB85RDP16LX
    MB85RC1MT
    MB85RC512T
    MB85RC256V
    MB85RC128A
    MB85RC64TA
    MB85RC64A
    MB85RC64V
    MB85RC16
    MB85RC16V
    MB85RC04
    MB85RC04V
    MB85R8M1TA
    MB85R8M2TA
    MB85R8M2T
    MB85R4M2T
    MB85R4001A
    MB85R4002A
    MB85R1001A
    MB85R1002A
    MB85R256F
    MB85AS12MT
    MB85AS8MT
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